Модуль SODIMM KF432S20IB/8 оперативной памяти Kingston FURY Impact DDR4 объемом 8 ГБ позволяет повысить производительность системы, чтобы даже в самой горячей битве частота кадров оставалась комфортной. Одноренковый модуль KF432S20IB/8 работоспособен на частотах вплоть до DDR4-3200 при схеме таймингов CL20 и предназначен для расширения объема памяти и повышения производительности ноутбуков и малогабаритных систем, как на платформе Intel, так и AMD. Поддержка технологии PnP (Plug'n'Play) позволяет системе автоматически установить максимально возможную для нее частоту памяти (на большинстве систем будет установлена максимальная доступная в BIOS производителя системы частота, установить значения выше нее PnP не позволяет), а наличие XMP профиля поможет быстро настроить память на системах, не поддерживающих PnP.

Простой в установке и на большинстве систем не требующий настройки BIOS модуль оперативной памяти позволит быстро и без дополнительных сложностей получить максимум производительности от ноутбука или системы с малым форм-фактором.

Особенности

Модуль SODIMM с высокой производительностьюПоддержка автоматического разгона Plug N PlayСовместимость с Intel XMPСовместимость с AMD RyzenПовышенная производительность при пониженном энергопотребленииТонкая форма, элегантный дизайн Все 100 процентов памяти проходят тестирование, обеспечивая легендарную надежность Kingston

Спецификации

Форм-фактор SODIMMКоличество контактов 260Частота 3200 МГц DDRСхема таймингов CL20Напряжение питания 1.2 ВPlug N Play +Профиль JEDEC/PnP DDR4-3200 CL20-22-22 @1.2VПрофили XMP DDR4-3200 CL20-22-22 @1.2V DDR4-2933 CL17-19-19 @1.2VОбъем модуля 8 ГБРабочая температура 0 — +85 °СТемпература при хранении –55 — +100 °CЦвет печатной платы ЧерныйЦвет термоэтикетки ЧерныйГабариты модуля 69.6 x 30 ммГарантия Пожизненная

Производитель	Kingston Fury (ex.HyperX)
Модель	SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz Fury Impact
Артикул	KF432S20IB/8
Тип памяти	DDR4
Объем памяти	8 ГБ
Количество модулей в наборе	1
Стандарты памяти	PC4-25600
Частота памяти	3200 МГц
Тайминги	CL20
Напряжение питания	1.2 В
Форм-фактор памяти	260-pin SO-DIMM
Проверка и коррекция ошибок (ECC)	non-ECC
Буферизация	unbuffered
Охлаждение	нет
(Сборка) Высота модуля памяти	стандарт
(Сборка) Потребляемая мощность	5 Вт
Примечание	Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Страна производства	Тайвань
Гарантия, мес	99